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상세 정보 |
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| 타입: | 칩 퓨즈 | 사이즈: | 1206년 |
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| 경향: | 1-20A | 전압: | 63V/24V |
| 속도: | 한번 불기를 감속하십시오 | 패키징: | 권선에 있는 테이프 |
| 하이 라이트: | 1.6 밀리미터 표면 실장칩 퓨즈,63V 표면 실장칩 퓨즈,1.6 밀리미터 요업 완동휴즈 |
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제품 설명
높은 침입 63V 24V 3.1x1.6mm 표면 실장칩 퓨즈
입력 파워 포트를 위한 3216 SMD 요업이 느리 성수기 높침입 칩 퓨즈 CQ12LH 3.1x1.6 밀리미터 1-20A 63V 24V
캐나다와 미국 1A~20A를 위한 승인 인정된 성분
인터럽트 평가
1A~8A : 63V DC에 있는 100 암페어
10A~20A : 24V DC에 있는 150 암페어
애플리케이션
오우 휴대폰
오우 건전지 팩
오우 디지털 카메라
오우 DVD 플레이어들
오우 하드 디스크 드라이브
전기 특성
| 정격 전류 | 1에 | 2에 | 3에 | 8에 | |
| 민 | 민 | 맥스. | 맥스 | 최대 | |
| 1A~2A | 4 hr | 1 SEC | 120 SEC | 3 SEC | 0.05 초 |
차원
부품 번호 체계
| 상품 종류 | 프린팅 |
(A) |
(V) |
내한성 | 최대 전압 강하 | I2T 가치 | 차단 용량 | 중량 (단일 제품) |
| CQ12LH 001 | Ｈ | 1A | 63V | 0.23 | 0 | 0.17 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 002 | 엔 | 2A | 63V | 0.075 | 0 | 0.72 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 003 | Ｐ | 3A | 63V | 0.032 | 0 | 1.35 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 004 | Ｓ | 4A | 63V | 0.018 | 0 | 2.24 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 005 | Ｔ | 5A | 63V | 0.013 | 0 | 3 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 006 | Ｕ | 6A | 63V | 0.009 | 0 | 4.68 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 007 | Ｖ | 7A | 63V | 0.008 | 0 | 6.37 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 008 | Ｗ | 8A | 63V | 0.007 | 0 | 8.32 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 010 | 10 | 10A | 24V | 0.006 | 0 | 12 | 24V DC에 있는 150 암페어 | 0.0152 |
| CQ12LH 012 | 12 | 12A | 24V | 0.005 | 0 | 17.28 | 24V DC에 있는 150 암페어 | 0.0152 |
| CQ12LH 015 | 15 | 15A | 24V | 0.003 | 0 | 29.25 | 24V DC에 있는 150 암페어 | 0.0152 |
| CQ12LH 020 | 20 | 20A | 24V | 0.002 | 0 | 52 | 24V DC에 있는 150 암페어 | 0.0152 |
| CQ12LH 1.50 | Ｋ | 1.5A | 63V | 0.125 | 0 | 0.394 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 2.50 | 오우 | 2.5A | 63V | 0.05 | 0 | 0.938 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
| CQ12LH 3.50 | Ｒ | 3.5A | 63V | 0.027 | 0 | 1.838 | 63V DC에 있는 100 암페어 |
0.0152 |
1.10%의 정격 전류와 25' Ｃ에서 측정됩니다.
2.1000%의 전류 등급에 있는 용융 I2t.
3.(cRUus)를 증명했고, 최고 125V를 특화했습니다
특징
a. 고전압과고 전류 등급
비. 높은 침입과 높은 차단 용량
Ｃ. 빨리 소멸시키는 것으로 전호를 이루기
Ｄ. 무연성 & 할로겐 방임 소재
Ｅ. 좋은 방폭
Ｆ. 완성된 정확한 퓨징 시간과 차단 장치
Ｇ. 1A ~20A의 정격 전류에 적합합니다
환경 규격
작동 온도 -55' +125에 대한 Ｃ' Ｃ
진동 MIL-STD-202G, 방법 201 (10-55 Hz, 0.06 인치당, 전행정)
염수분무 MIL-STD-202G, 방법 101, 시험 조건 비 (48Hrs)
절연 저항 MIL-STD-202G, 방법 302, 시험 조건 A
환기 MIL-STD-202G, 방법 210, 시험 조건 비 (260' Ｃ에, 10sec)를 납땜질하기 위한 저항
열 충격 MIL-STD-202G, 방법 107, 시험 조건 비 (+125' Ｃ에 대한 -65' Ｃ)
물리 사양
물질 구조
본체 소재 : 세라믹
단말 처리 소재 : 은(AG), 니켈(NI), 주석(sn)
퓨즈 소자 : 은(AG)
패키징
1. 테이프 & 릴 : 8 밀리미터는 녹화합니다
2. 포장 사양 : 미국 전자 산업 협의회 규격 481-D
3.양 : 릴 당 4,000 PC.
퓨즈식
퓨즈의 4가지 기본 형태가 있습니다 :
(1) 느린 성수기 / 타임 패그 퓨즈
(2) 이원적 소자 완동휴즈
(3) 단시간형 퓨즈
(4) 매우 빨리 퓨즈를 행하기
단선지연 퓨즈는 순간 써어지 또는 전원 연결 침입과 회로에 이상적입니다.이러한 회로
다음을 포함하세요 :모터, 트랜스, 빛나 로드를 램프를 갖추고 커패시테이트.패스트-액팅은 빨리 응답을 녹이고, 과도 돌입 전류 없이 회로에서 사용됩니다. 매우 신속-동작 퓨즈는 연결된 은을 종종 가지고 있습니다. 퓨즈가 경향을 제한할 수 있는 능력을 가질 필요가 있기 때문에, 이러한 퓨즈는 보통 반도체 회로를 보호하는데 사용됩니다.